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国度存储器基地名目(一期)一号出产及能源厂房,提早封顶啦!

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国度存储器基地名目(一期)一号出产及能源厂房,提早封顶啦!

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国度存储器基地名目(一期)一号出产及能源厂房,提早封顶啦!
 
  9月28日,完工9个月的国度存储器基地名目(一期)一号出产及能源厂房,完成提早封顶,名目扶植向前迈出坚固一步!
  在名目后期任务中,葛化团体到场根本举措措施的扶植办事,创作发明了”葛化速率“,为名目的顺遂实行夯实了根本。该名目于2016年12月30日正式完工,将扶植3座环球单座干净面积最大的3D NAND Flash 出产厂房,其焦点出产厂房和装备每平方米的投资强度跨越3万美圆。这次提早封顶的名目(一期)一号出产及能源厂房修建面积达52.4万㎡,估计将于2018年投入利用。名目(一期)达产后,总产能将到达30万片/月,年产值将跨越100亿美圆。
  国度存储器基地是我国成长集成电路财产的主要构成局部,对弥补国际支流存储器范畴空缺、保证国度信息宁静具备主要的计谋意思。国度存储器基地的慢慢建成,标记着中国存储芯片财产范围化成长完成”零“的冲破,这是”国度计谋鞭策、处所鼎力撑持、企业市场化运作“新形式的胜利摸索。
  将来,这里将建起”航母级芯片工场“,我国存储器财产的成长也将再上新台阶。
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